（中央社記者張建中台北1日電）半導體設備廠天虹科技今天宣布，與晶圓代工廠台積電合作的先進製程實驗室開幕啟用，將聚焦先進製程鍍膜設備、膜質改善技術及前驅物篩選與驗證3大領域研究與開發。

天虹今天發布新聞稿，宣布與台積電合作的先進製程實驗室開幕啟用，由台積電研發副總經理章勳明、天虹董事長黃建駱、執行長易錦良及創辦人羅偉瑞出席啟用儀式。

天虹表示，實驗室將作為前瞻技術的孵化基地，未來將針對先進製程鍍膜設備等3大核心領域進行深入研究與協同開發。在先進製程鍍膜設備方面，將優化本土自主研發設備，以因應嚴苛的次世代晶圓製程挑戰。

在膜質改善技術方面，透過創新製程調整，提升薄膜的均勻度、填洞能力、電性特性與物理特性，進而優化晶圓性能與良率。前驅物篩選與驗證方面，針對新世代特殊化學氣體與新材料進行高效篩選，在研發初期即確保材料的化學穩定性與綠色環保標準。

易錦良說，這座先進實驗室的啟用，是天虹發展史上的重要里程碑，並證明台灣本土設備業不再只是追隨者，而是有能力成為創新者，與台積電站在最前線，同步創新，進行先進製程的研發服務，共同為全球客戶創造無可取代的科技價值。

展望未來，易錦良表示，天虹將持續加大在台的研發投資，與本地的供應鏈夥伴發揮綜效，透過與台積電的深化合作，逐步實踐尖端設備國產化的願景。（編輯：林淑媛）1150901